flash 记忆
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SAMSUNG
K9f1g08q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-vcb0,vib0,fcb0,fib0
文档 标题
128m x 8 位 / 64m x 16 位与非 flash 记忆
修订 history
这 连结 数据 薄板 是 准备好 和 批准 用 samsung electronics. samsung electronics co., 有限公司. 保留 这
正确的 至 改变 这 规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 your requests 和 questions 关于 设备. 如果你
有 任何 questions, 请 联系 这 samsung branch 办公室 near your 办公室.
修订 非
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Remark
进步
History
1. 最初的 公布
1. iol(r/b) 的 1.8v 是 changed.
- 最小值 值 : 7ma --> 3ma
- 典型值 值 : 8ma --> 4ma
2. 交流 参数 是 changed.
trp(最小值.) : 30ns --> 25ns
3. 一个 恢复 时间 的 最小 1
µ
s 是 必需的 在之前 内部的 电路 gets
准备好 为 任何 command sequences 作 显示 在 图示 17.
---> 一个 恢复 时间 的 最小 10
µ
s 是 必需的 在之前 内部的 电路 gets
准备好 为 任何 command sequences 作 显示 在 图示 17.
1. ale 状态 故障 在’随机的 数据 输出 在 一个 页’定时 图解(页 19)
是 fixed.
1. tar1, tar2 是 merged 至 tar.(page11)
(在之前 修订) 最小值 tar1 = 10ns , 最小值 tar2 = 50ns
(之后 修订) 最小值 tar = 10ns
2. 最小值 tclr 是 changed 从 50ns 至 10ns.(page11)
3. 最小值 trea 是 changed 从 35ns 至 30ns.(page11)
4. 最小值 twc 是 changed 从 50ns 至 45ns.(page11)
5. trhz 是 devided 在 trhz 和 toh.(page11)
- trhz :RE高 至 输出 hi-z
- toh :RE高 至 输出 支撑
6. tchz 是 devided 在 tchz 和 toh.(page11)
- tchz :CE高 至 输出 hi-z
- toh :CE高 至 输出 支撑
1. 增加 这 rp vs tr ,tf &放大; rp vs ibusy 图表 为 1.8v 设备 (page 35)
2. 增加 这 数据 保护 vcc guidence 为 1.8v 设备 - 在下 关于
1.1v. (页 36)
这 最小值 vcc 值 1.8v 设备 是 changed.
k9f1gxxq0m : vcc 1.65v~1.95v --> 1.70v~1.95v
铅-自由 包装 是 增加.
k9f1g08u0m-fcb0,fib0
k9f1g08q0m-pcb0,pib0
k9f1g08u0m-pcb0,pib0
k9f1g16u0m-pcb0,pib0
k9f1g16q0m-pcb0,pib0
draft 日期
july. 5. 2001
十一月 5. 2001
dec. 4. 2001
apr. 25. 2002
十一月 22.2002
三月. 6.2003
三月. 13.2003
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