flash 记忆
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SAMSUNG
K9f1g08q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-vcb0,vib0,fcb0,fib0
2k 字节 64 字节
图示 1-1. k9f1g08x0m (x8) 函数的 块 图解
图示 2-1. k9f1g08x0m (x8) 排列 organization
便条
: column 地址 : 开始 地址 的 这 寄存器.
* l 必须 是 设置 至 "低".
* 这 设备 ignores 任何 额外的 输入 的 地址 循环 比 reguired.
i/o 0 i/o 1 i/o 2 i/o 3 i/o 4 i/o 5 i/o 6 i/o 7
1st 循环 一个0 一个1 一个2 一个3 一个4 一个5 一个6 一个7
2nd 循环 一个8 一个9 一个10 一个11 *L *L *L *L
3rd 循环 一个12 一个13 一个14 一个15 一个16 一个17 一个18 一个19
4th 循环 一个20 一个21 一个22 一个23 一个24 一个25 一个26 一个27
VCC
x-缓存区
Command
i/o 缓存区 &放大; latches
Latches
&放大; decoders
y-缓存区
Latches
&放大; decoders
寄存器
控制 逻辑
&放大; 高 电压
发生器
global 缓存区
输出
驱动器
VSS
一个12- 一个27
一个0- 一个11
Command
CE
RE
我们
CLE
WP
i/0 0
i/0 7
VCC
VSS
64k 页
(=1,024 blocks)
2k 字节
8 位
64 字节
1 块 = 64 页
(128k + 4k) 字节
i/o 0 ~ i/o 7
1 页 = (2k + 64)字节
1 块 = (2k + 64)b x 64 页
= (128k + 4k) 字节
1 设备 = (2k+64)b x 64pages x 1024 blocks
= 1056 mbits
行 地址
页 寄存器
ale 前
1024m + 32m 位
与非 flash
排列
(1024 + 32)字节 x 65536
y-gating
cache 寄存器
行 地址
column 地址
column 地址
数据 寄存器 &放大; s/一个
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