28f004/400b3, 28f008/800b3, 28f016/160b3, 28f320b3, 28f640b3
15
3.3.2 wp# = v
IH
为 块 unlocking
wp# = v
IH
unlocks 所有 lockable blocks.
这些 blocks 能 now 是 编写程序 或者 erased.
便条 那 rp# 做 不 override wp# locking 作 在 previous 激励 块 设备. wp# 控制 所有
块 locking 和 v
PP
提供 保护 相反 spurious 写.Table8定义 这 写
保护 方法.
3.4 V
PP
程序 和 擦掉 电压
Intel
®
3 volt 先进的 激励 块 产品 提供 在-系统 程序编制 和 擦掉 在 2.7 v.
为 客户 需要 快 程序编制 在 它们的 制造 环境, 3 volt 先进的
激励 块 包含 一个 额外的 低-费用 12 v 程序编制 特性.
这 12 V V
PP
模式 enhances 程序编制 效能 在 这 短的 时期 的 时间 典型地
建立 在 制造 处理; 不管怎样, 它 是 不 将 为 扩展 使用. 12 v 将 是
应用 至 v
PP
在 程序 和 擦掉 行动 为 一个 最大 的 1000 循环 在 这 主要的
blocks 和 2500 循环 在 这 参数 blocks. v
PP
将 是 连接 至 12 v 为 一个 总的 的 80
小时 最大.
Warning:
stressing 这 设备 在之外 这些 限制 将 导致 永久的 损坏.
在 读 行动 或者 空闲 时间, v
PP
将 是 系 至 一个 5 v 供应. 为 程序 和 擦掉
行动, 一个 5 v 供应 是 不 permitted. 这 v
PP
必须 是 有提供的 和 也 2.7 v–3.6 v 或者
11.4 v–12.6 v 在 程序 和 擦掉 行动.
3.4.1 V
PP
= v
IL
为 完全 保护
这 v
PP
程序编制 电压 能 是 使保持 低 为 完全 写 保护 的 所有 blocks 在 这
flash 设备. 当 v
PP
是 在下 v
PPLK
, 任何 程序 或者 擦掉 运作 将 结果 在 一个 错误,
prompting 这 相应的 状态 寄存器 位 (sr.3) 至 是 设置.
3.5 电源 消耗量
intel flash 设备 有 一个 tiered approach 至 电源 savings 那 能 significantly 减少 整体的
系统 电源 消耗量. 这 自动 电源 savings (aps) 特性 减少 电源
消耗量 当 这 设备 是 选择 但是 空闲. 如果 这 ce# 是 deasserted, 这 flash enters 它的
备用物品 模式, 在哪里 电流 消耗量 是 甚至 更小的. 这 结合体 的 这些 特性 能
降低 记忆 电源 消耗量, 和 因此, 整体的 系统 电源 消耗量.
表格 8. 写 保护 真实 表格 为 这 先进的 激励 块 flash 记忆 家族
V
PP
WP# RP# 写 保护 提供
XXV
IL
所有 blocks 锁
V
IL
XV
IH
所有 blocks 锁
≥
V
PPLK
V
IL
V
IH
lockable blocks 锁
≥
V
PPLK
V
IH
V
IH
所有 blocks unlocked
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