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资料编号:313732
 
资料名称:HEF4720BD
 
文件大小: 180.05K
   
说明
 
介绍:
256-bit, 1-bit per word random access memories
 
 


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january 1995 14
飞利浦 半导体 产品 规格
256-位, 1-位 每 文字 随机的 进入 memories
HEF4720B
HEF4720V
图.9 使用 的 电池-运作 locmos 门 至 分开 这 记忆 在 情况 的 电源 供应 失败. 设备
marked (1) 是 连接 至 这 电池. 这 hef4011b 能 下沉 关于 0,7 毫安: 如果 这 加载 是 更好 比
这个, 仅有的 这 记忆 应当 是 连接, 其它 负载 正在 连接 至 这 地址 获得 作 显示
用 这 dashed-线条 连接.
(1) 这些 设备 有 一个 电池 供应.
(2) alternative 连接.
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