st72521m/r/ar
18/199
4 flash 程序 记忆
4.1 介绍
这 st7 双 电压 高 密度 flash
(hdflash) 是 一个 非-易变的 记忆 那 能 是
用电气 erased 作 一个 单独的 块 或者 用 individu-
al sectors 和 编写程序 在 一个 字节-用-字节 ba-
sis 使用 一个 外部 v
PP
供应.
这 hdflash 设备 能 是 编写程序 和
erased 止-板 (plugged 在 一个 程序编制 tool)
或者 在-板 使用 icp (在-电路 程序编制) 或者
iap (在-应用 程序编制).
这 排列 矩阵变换 organisation 准许 各自 sector
至 是 erased 和 reprogrammed 没有 影响
其它 sectors.
4.2 主要的 特性
■
三 flash 程序编制 模式:
– 嵌入 在 一个 程序编制 tool. 在 这个 模式,
所有 sectors 包含 选项 字节 能 是 pro-
grammed 或者 erased.
– icp (在-电路 程序编制). 在 这个 模式, 所有
sectors 包含 选项 字节 能 是 pro-
grammed 或者 erased 没有 removing 这 de-
恶行 从 这 应用 板.
– iap (在-应用 程序编制) 在 这个
模式, 所有 sectors 除了 sector 0, 能 是 pro-
grammed 或者 erased 没有 removing 这 de-
恶行 从 这 应用 板 和 当 这
应用 是 运动.
■
ict (在-电路 测试) 为 downloading 和
executing 用户 应用 测试 patterns 在 内存
■
读-输出 保护 相反 piracy
■
寄存器 进入 安全 系统 (rass) 至
阻止 意外的 程序编制 或者 erasing
4.3 结构
这 flash 记忆 是 organised 在 sectors 和 能
是 使用 为 两个都 代号 和 数据 存储.
取决于 在 这 整体的 flash 记忆 大小 在 这
微控制器 设备, 那里 是 向上 至 三 用户
sectors (看表格 3). 各自 的 这些 sectors 能
是 erased independently 至 避免 unnecessary
erasing 的 这 全部的 flash 记忆 当 仅有的 一个
partial erasing 是 必需的.
这 第一 二 sectors 有 一个 fixed 大小 的 4 kbytes
(看图示 5). 它们 是 编排 在 这 upper 部分
的 这 st7 寻址 空间 所以 这 重置 和 在-
terrupt vectors 是 located 在 sector 0 (f000h-
ffffh).
表格 3. sectors 有 在 flash 设备
4.3.1 读-输出 保护
读-输出 保护, 当 选择, 制造 它 im-
可能 至 extract 这 记忆 内容 从 这
微控制器, 因此 阻止 piracy. 甚至 st
不能 进入 这 用户 代号.
在 flash 设备, 这个 保护 是 移除 用 re-
程序编制 这 选项. 在 这个 情况, 这 全部
程序 记忆 是 第一 automatically erased.
读-输出 保护 选择 取决于 在 这 de-
恶行 类型:
– 在 flash 设备 它 是 使能 和 移除
通过 这 fmp_r 位 在 这 选项 字节.
– 在 只读存储器 设备 它 是 使能 用 掩饰 选项
指定 在 这 选项 列表.
图示 5. 记忆 编排 和 sector 地址
flash 大小 (字节) 有 sectors
4K sector 0
8K sectors 0,1
> 8k sectors 0,1, 2
4 kbytes
4 kbytes
2Kbytes
SECTOR 1
SECTOR 0
16 Kbytes
SECTOR 2
8K 16K 32K 60K
FLASH
FFFFh
EFFFh
DFFFh
3FFFh
7FFFh
1000h
24 Kbytes
记忆 大小
8Kbytes 40 Kbytes
52 Kbytes
9FFFh
BFFFh
D7FFh
4K 10K 24K 48K
: 点此下载
