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资料编号:315253
 
资料名称:IRF5851
 
文件大小: 172.54K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss = +-20 V)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF5851
6 www.irf.com
n-频道
图 12.
典型 在-阻抗 vs. 流
电流
图 11.
典型 在-阻抗 vs. 门
电压
2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
V
gs,
门 -至 -源 电压 (v)
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
一个
n
c
e
(
)
I
D
= 2.7a
图 13b.
门 承担 测试 电路
图 13a.
基本 门 承担 波形
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
承担

d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
µ
F
50K
.2
µ
F
12V
电流 调整器
一样 类型 d.u.t.
电流 抽样 电阻器
+
-
024681012
I
D
, 流 电流 (一个)
0.00
0.10
0.20
0.30
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
一个
n
c
e
(
)
V
GS
= 4.5v
V
GS
= 2.5v
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