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资料编号:315949
 
资料名称:IRF620
 
文件大小: 54.97K
   
说明
 
介绍:
5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
 
 


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4-199
图示 4. 向前 偏差 safe 运行 范围 图示 5. 输出 特性
图示 6. 饱和 特性
图示 7. 转移 特性
便条: 加热 效应 的 2.0
µ
s 脉冲波 是 minimal.
图示 8. 阻抗 vs
电压 和 流 电流
图示 9. NORMALIZED
阻抗 vs 接合面 温度
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
10
0.1
10
1
I
D
, 流 电流 (一个)
100
100
直流
100
µ
s
10
µ
s
1ms
10ms
100ms
1
1000
T
J
= 最大值 评估
T
C
= 25
o
C
运作 在 这个 范围 是 限制 用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
0
020406080
2
4
6
8
10
100
7V
6V
5V
4V
10V
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0
1
0
2
46 10
2
3
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
4
8
5
V
GS
= 10v
V
GS
= 4v
V
GS
= 5v
V
GS
= 6v
V
GS
= 8v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0
2
0
2
46 10
4
6
I
D
, 流 电流 (一个)
V
G
, 门 至 源 电压 (v)
8
8
10
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DS
> i
d(在)
x r
ds(在) 最大值
0
1.0
1.5
5
10
15 20
r
ds(在)
, 流 至 源
I
D
, 流 电流 (一个)
0
0.5
V
GS
= 10v
V
GS
= 20v
在 阻抗 (
)
normalized 流 至 源
2.2
1.4
1
0.6
0.2
-40 0 40
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
120
1.8
80
在 阻抗
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
GS
= 10v, i
D
= 2a
IRF620
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