©
2005 微芯 技术 公司
初步的
ds41232b-页 1
pic12f635/pic16f636/639
高-效能 risc cpu:
• 仅有的 35 说明 至 学习:
- 所有 单独的-循环 说明 除了 分支
• 运行 速:
- 直流 – 20 mhz 振荡器/时钟 输入
- 直流 – 200 ns 操作指南 循环
• 中断 能力
• 8-水平的 深的 硬件 堆栈
• 直接, 间接的 和 相关的 寻址 模式
特定的 微控制器 特性:
• 精确 内部的 振荡器:
- 工厂 校准 至 ±1%
- 软件 可选择的 频率 范围 的
8 mhz 至 31 kHz
- 软件 tunable
- 二-速 开始-向上 模式
- 结晶 失败 发现 为 核心的 产品
• 时钟 模式 切换 为 低 电源 运作
• 电源-节省 睡眠 模式
• 宽 运行 电压 范围 (2.0v-5.5v)
• 工业的 和 扩展 温度 范围
• 电源-在 重置 (por)
• wake-向上 重置 (wur)
• 独立 弱 拉-向上/拉-向下 电阻器
• 可编程序的 低-电压 发现 (plvd)
• 电源-向上 计时器 (pwrt) 和 振荡器 开始-向上
计时器 (ost)
• 褐色-输出 发现 (bod) 和 软件 控制
选项
• 增强 低-电流 看门狗 计时器 (wdt)
和 在-碎片 振荡器 (软件 可选择的
名义上的 268 秒 和 全部 预分频器) 和
软件 使能
• 多路复用 主控 clear 和 拉-向上/输入 管脚
• 可编程序的 代号 保护 (程序 和
数据 独立)
• 高-忍耐力 flash/可擦可编程只读存储器 cell:
- 100,000 写 flash 忍耐力
- 1,000,000 写 可擦可编程只读存储器 忍耐力
- flash/数据 可擦可编程只读存储器 保持: > 40 年
低 电源 特性:
• 备用物品 电流:
- 1 na @ 2.0v, 典型
• 运行 电流:
-8.5
µ
一个 @ 32 khz, 2.0v, 典型
-100
µ
一个 @ 1 mhz, 2.0v, 典型
• 看门狗 计时器 电流:
-1
µ
一个 @ 2.0v, 典型
附带的 特性:
• 6/12 i/o 管脚 和 单独的 方向 控制:
- 高-电流 源/下沉 为 直接 led 驱动
- 中断-在-管脚 改变
- individually 可编程序的 弱 拉-ups/
拉-downs
- 过激 低-电源 wake-向上
• 相似物 比较器 单元 和:
- 向上 至 二 相似物 comparators
- 可编程序的 在-碎片 电压 涉及
(cv
REF
) 单元 (% 的 v
DD
)
- 比较器 输入 和 输出 externally
accessible
• timer0: 8-位 计时器/计数器 和 8-位
可编程序的 预分频器
• 增强 timer1:
- 16-位 计时器/计数器 和 预分频器
- 外部 门 输入 模式
- 选项 至 使用 osc1 和 osc2 在 lp 模式
作 timer1 振荡器 如果 intosc 模式
选择
•K
EE
L
OQ
®
兼容 硬件 cryptographic
单元
• 在-电路 串行 程序编制
TM
(icsp
TM
) 通过
二 管脚
低 频率 相似物 front-终止 特性
(pic16f639 仅有的):
• 三 输入 管脚 为 125 khz lf 输入 信号
• 高 输入 发现 敏锐的 (3 mV
PP
, 典型)
• demodulated 数据, 运输车 时钟 或者 rssi 输出
选择
• 输入 运输车 频率: 125 khz, 典型
• 输入 调制 频率: 4 khz, 最大
• 8 内部的 配置 寄存器
• 双向的 transponder 交流
(lf 表达 后面的)
• 可编程序的 触角 tuning 电容
(向上 至 63 pf, 1 pf/步伐)
• 低 备用物品 电流: 5
µ
一个 (和 3 途径
使能), 典型
• 低 运行 电流: 15
µ
一个 (和 3 途径
使能), 典型
• 串行 附带的 接口 (spi™) 和 内部的
mcu 和 外部 设备
• 支持 电池 后面的-向上 模式 和 batteryless
运作 和 外部 电路
8/14-管脚 flash-为基础, 8-位 cmos 微控制器
和 nanowatt 技术
: 点此下载
