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资料编号:316170
 
资料名称:IRF6614
 
文件大小: 259.35K
   
说明
 
介绍:
DirectFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

2 www.irf.com
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
脉冲波 宽度
400µs; 职责 循环
2%.

静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
流-至-源 损坏 电压
40 ––– ––– V
∆Β
V
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
––– 38 ––– mv/°c
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
––– 5.9 8.3 m
––– 7.1 9.9
V
gs(th)
门 门槛 电压
1.35 1.80 2.25 V
V
gs(th)
/
T
J
门 门槛 电压 系数
––– -5.5 ––– mv/°c
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
––– ––– 1.0 µA
––– ––– 150
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏
––– ––– 100 nA
门-至-源 反转 泄漏
––– ––– -100
gfs 向前 跨导
71 ––– ––– S
Q
g
总的 门 承担
––– 19 29
Q
gs1
前-vth 门-至-源 承担
––– 5.9 –––
Q
gs2
邮递-vth 门-至-源 承担
––– 1.4 ––– nC
Q
gd
门-至-流 承担
––– 6.0 –––
Q
godr
门 承担 overdrive
––– 5.7 –––
看 图. 17
Q
sw
转变 承担 (q
gs2
+ q
gd
)
––– 7.4 –––
Q
oss
输出 承担
––– 9.5 ––– nC
R
G
门 阻抗
––– 1.0 1.5
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 –––
13
–––
t
r
上升 时间 –––
27
–––
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 –––
18
––– ns
t
f
下降 时间 –––
3.6
–––
C
iss
输入 电容 –––
2560
–––
C
oss
输出 电容 –––
370
––– pF
C
rss
反转 转移 电容 –––
200
–––
二极管 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流
––– ––– 2.6
(身体 二极管) 一个
I
SM
搏动 源 电流
––– ––– 102
(身体 二极管)

V
SD
二极管 向前 电压
––– ––– 1.0
V
t
rr
反转 恢复 时间
––– 15 23
ns
Q
rr
反转 恢复 承担
––– 5.5 8.3
nC
场效应晶体管 标识
clamped inductive 加载
V
DS
= 10v, i
D
= 10.2a
情况
ƒ = 1.0mhz
V
DS
= 16v, v
GS
= 0v
V
DD
= 20v, v
GS
= 4.5v

V
DS
= 20v
V
GS
= 4.5v, i
D
= 10.2a
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
V
DS
= 32v, v
GS
= 0v
情况
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
GS
= 10v, i
D
= 12.7a
T
J
= 25°c, i
F
= 10.2a
di/dt = 100a/µs
T
J
= 25°c, i
S
= 10.2a, v
GS
= 0v
表明 这
integral 反转
p-n 接合面 二极管.
I
D
= 10.2a
V
GS
= 0v
V
DS
= 20v
I
D
= 10.2a
V
DS
= 32v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
V
GS
= 20v
V
GS
= -20v
V
GS
= 4.5v
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