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资料编号:316174
 
资料名称:IRF6646
 
文件大小: 245.72K
   
说明
 
介绍:
DirectFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF6646
www.irf.com 5
图 13.
典型 门槛 电压 vs.
接合面 温度
图 12.
最大 流 电流 vs. 包围的 温度
图 10.
典型 源-流 二极管 向前 电压
fig11.
最大 safe 运行 范围
图 14.
最大 avalanche 活力 vs. 流 电流
0.01 0.10 1.00 10.00 100.00
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0.01
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
运作 在 这个 范围
限制 用 r
DS
(在)
T
一个
= 25°c
T
J
= 150°c
单独的 脉冲波
100µsec
1msec
10msec
25 50 75 100 125 150
开始 t
J
, 接合面 温度 (°c)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
E
一个
S
,
S
i
n
g
l
e
P
u
l
s
e
一个
v
一个
l
一个
n
c
h
e
E
n
e
r
g
y
(
m
J
)
I
D
3.3a
4.0a
BOTTOM 7.2a
25 50 75 100 125 150
T
一个
, ambient temperature (°c)
0
2
4
6
8
10
12
14
I
D
,
D
r
一个
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 温度 ( °c )
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
T
y
p
i
c
一个
l
V
G
S
(
t
h
)
G
一个
t
e
t
h
r
e
s
h
o
l
d
V
o
l
t
一个
g
e
(
V
)
I
D
= 150µa
I
D
= 250µa
I
D
= 1.0ma
I
D
= 1.0a
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
V
SD
, 源-至-流 电压 (v)
0
1
10
100
1000
I
S
D
,
R
e
v
e
r
s
e
D
r
一个
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
T
J
= 150°c
T
J
= 25°c
T
J
= -40°c
V
GS
= 0v
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