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资料编号:316310
 
资料名称:IRF6610
 
文件大小: 243.15K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET Silicon Technology with the advanced DirectFETTM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF6610
4 www.irf.com
图 5.
典型 输出 特性
图 4.
典型 输出 特性
图 6.
典型 转移 特性
图 7.
normalized 在-阻抗 vs. 温度
图 8.
典型 电容 vs.流-至-源 电压
图 9.
典型 在-阻抗 vs.
流 电流 和 门 电压
0.1 1 10 100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0.01
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
VGS
10V
5.0v
4.5v
4.0v
3.5v
3.0v
2.8v
BOTTOM 2.5v
60µs 脉冲波 wIDTH
tj = 25°c
2.5v
0.1 1 10 100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
2.5v
60µs 脉冲波 wIDTH
tj = 150°c
VGS
10V
5.0v
4.5v
4.0v
3.5v
3.0v
2.8v
BOTTOM 2.5v
1 2 3 4 5
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
Α
)
T
J
= 150°c
T
J
= 25°c
T
J
= -40°c
V
DS
= 10v
60µs 脉冲波 宽度
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
J
, 接合面 温度 (°c)
0.5
1.0
1.5
T
y
p
i
c
一个
l
R
D
S
(
o
n
)
(
N
o
r
m
一个
l
i
z
e
d
)
I
D
= 15a
V
GS
= 10v
V
GS
= 4.5v
1 10 100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
100
1000
10000
C
,
C
一个
p
一个
c
i
t
一个
n
c
e
(
p
F
)
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
C
oss
C
rss
C
iss
0 20 40 60 80 100 120 140
I
D
, 流 电流 (一个)
0
10
20
30
40
T
y
p
i
c
一个
l
R
D
S
(
o
n
)
(
m
)
T
J
= 25°c
vgs = 3.5v
vgs = 4.0v
vgs = 4.5v
vgs = 5.0v
vgs = 10v
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