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IRF7350
12 www.irf.com
图 32.
典型 在-阻抗 vs. 流
电流
图 31.
典型 在-阻抗 vs. 门
电压
图 33.
典型 门槛 电压 vs.
接合面 温度
图 34.
典型 电源 vs. 时间
p-频道
5.0 7.0 9.0 11.0 13.0 15.0
-v
gs,
门 -至 -源 电压  (v)
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
R
ds(在)
,  流-至 -源 在 阻抗 (
Ω
)
I
D
= -1.5a
V
GS
= -10v
0 1 2 3 4 5 6
-i
D
, 流 电流 (一个)
0.400
0.425
0.450
0.475
0.500
R
ds (在)
, 流-至-源 在 阻抗 (
Ω
)
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 温度 (
°
c )
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-v
gs(th)
门 门槛 电压 (v)
I
D
= -250µa
1.00 10.00 100.00 1000.00
时间 (秒)
0
10
20
30
40
50
60
70
电源 (w)

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IRF7350 12 www.irf.com 图 32. 典型在-阻抗 vs. 流电流图 31. 典型在-阻抗 vs. 门电压图 33. 典型门槛电压 vs. 接合面温度图 34. 典型电源 vs. 时间 p-频道 5.0 7.0 9.0 11.0 13.0 15.0 -v gs, 门 -至 -源电压 (v) 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 0.80 R ds(在) , 流-至 -源在阻抗 ( Ω ) I D = -1.5a V GS = -10v 0 1 2 3 4 5 6 -i D , 流电流 (一个) 0.400 0.425 0.450 0.475 0.500 R ds (在) , 流-至-源在阻抗 ( Ω ) -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 T J , 温度 ( ° c ) 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 -v gs(th) 门门槛电压 (v) I D = -250µa 1.00 10.00 100.00 1000.00 时间 (秒) 0 10 20 30 40 50 60 70 电源 (w)

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