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资料编号:317193
 
资料名称:IRF7350
 
文件大小: 238.11K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=+-100V)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7350
2 www.irf.com
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
注释:
脉冲波 宽度
400µs; 职责 循环
2%.
表面 挂载 在 1 在 正方形的 cu 板
n 频道: 开始 t
J
= 25
°
c, l = 4.0mh, r
G
= 25
Ω,
I
= 4.2a
p 频道: 开始 t
J
= 25
°
c, l = 11mh, r
G
= 25
Ω,
I
= -3.0a
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
n-ch 100
——
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
p-ch -100
——
V
GS
= 0v, i
D
= -250µa
n-ch
0.12
涉及 至 25
°
c, i
D
= 1ma
p-ch
-0.11
涉及 至 25
°
c, i
D
= -1ma
n-ch 2.0
4.0 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
p-ch -2.0
-4.0 V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
n-ch 2.4
——
V
DS
= 50v, i
D
= 2.1a
p-ch 1.1
——
V
DS
= -50v, i
D
= -1.5a
n-ch
——
25 V
DS
= 100v, v
GS
= 0v
p-ch
——
-25 V
DS
= -100v, v
GS
= 0v
n-ch
——
250 V
DS
= 80 v, v
GS
= 0v, t
J
= 70
°
C
p-ch
——
-250 V
DS
= -80v, v
GS
= 0v, t
J
= 70
°
C
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 n-p
––
±100 V
GS
= ± 20v
n-ch
19 28
p-ch
21 31
n-ch
3.0 4.5
p-ch
3.4 5.1
n-ch
8.8 13
p-ch
10 16
n-ch
6.7
p-ch
25
n-ch
11
p-ch
13
n-ch
35
p-ch
30
n-ch
20
p-ch
40
n-ch
380
p-ch
360
n-ch
100
p-ch
110
n-ch
54
p-ch
65
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
V
gs(th)
门 门槛 电压
g
fs
向前 跨导
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
Q
g
总的 门 承担
Q
gs
门-至-源 承担
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
t
r
上升 时间
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
t
f
下降 时间
C
iss
输入 电容
C
oss
输出 电容
C
rss
反转 转移 电容
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
V
v/
°
C
V
S
µA
nC
ns
pF
n-频道
I
D
= 2.1a, v
DS
= 80v, v
GS
= 10v
p-频道
I
D
= -1.5a, v
DS
= -80v, v
GS
= -10v
n-频道
V
DD
= 50v, i
D
= 1.0a, r
G
= 22
,
R
D
= 50
Ω,
V
GS
= 10v
p-频道
V
DD
= -50v, i
D
= -1.0a, r
G
= 22
,
R
D
= 50
Ω,
V
GS
= -10v
p-频道
V
GS
= 0v, v
DS
= -25v,
ƒ
= 1.0mhz
p-ch
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
n-ch
——
1.8
p-ch
——
-1.4
n-ch
——
8.4
p-ch
——
-6.0
n-ch
——
1.3 T
J
= 25
°
c, i
S
= 1.8a, v
GS
= 0v
p-ch
——
-1.6 T
J
= 25
°
c, i
S
= -1.4a, v
GS
= 0v
n-ch
72 110
p-ch
77 120
n-ch
205 310
p-ch
240 360
源-流 比率 和 特性
I
S
持续的 源 电流 (身体 二极管)
I
SM
搏动 源 电流 (身体 二极管)
V
SD
二极管 向前 电压
t
rr
反转 恢复 时间
Q
rr
反转 恢复 承担
一个
V
ns
nC
n-频道
T
J
= 25
°
c, i
F
= 1.8a, di/dt = 100a/µs
p-频道
T
J
= 25
°
c, i
F
= -1.4a, di/dt = -100a/µs
n-ch
V
GS
= 10v, i
D
= 2.1a

0.21
0.48
V
GS
= -10v, i
D
= -1.5a

n-频道
V
GS
= 0v, v
DS
= 25v,
ƒ
= 1.0mhz
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