IRF7306
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -30 ––– ––– V V
GS
= 0v, id = -250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– -0.037 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= -1ma
––– ––– 0.10 V
GS
= -10v, i
D
= -1.8a
––– ––– 0.16 V
GS
= -4.5v, i
D
= -1.5a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -1.0 ––– ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 2.5 ––– ––– S V
DS
= -24v, i
D
= -1.8a
––– ––– -1.0 V
DS
= -24v, v
GS
= 0v
––– ––– -25 V
DS
= -24v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 20v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 25 I
D
= -1.8a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 2.9 nC V
DS
= -24v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 9.0 V
GS
= -10v, 看 图. 6 和 12
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 11 ––– V
DD
= -15v
t
r
上升 时间 ––– 17 ––– I
D
= -1.8a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 25 ––– R
G
= 6.0
Ω
t
f
下降 时间 ––– 18 ––– R
D
= 8.2
Ω,
看 图. 10
在 含铅的 tip
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 440 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 200 ––– pF V
DS
= -25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 93 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
注释:
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– -1.0 V T
J
= 25°c, i
S
= -1.8a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 53 80 ns T
J
= 25°c, i
F
= -1.8a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 66 99 µC di/dt = 100a/µs
t
在
向前 转变-在 时间
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
I
SD
≤
-1.8a, di/dt
≤
90a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
150°C
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
源-流 比率 和 特性
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
––– ––– -14
––– ––– -2.5
一个
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
L
S
内部的 源 电感 ––– 6.0 –––
L
D
内部的 流 电感 ––– 4.0 –––
nH
ns
nA
µA
Ω
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
S
D
G
S
D
G
表面 挂载 在 fr-4 板, t
≤
10sec.