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资料编号:317220
资料名称:
IRF7341
文件大小: 134.99K
说明
:
介绍
:
HEXFET Power MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7341
www.irf.com
3
1
10
100
3
4
5
6
v = 25v
20µs 脉冲波 宽度
DS
v , 门-至-源 电压 (v)
i , 流-至-源 电流 (一个)
GS
D
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
图 3.
典型 转移 特性
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
图 4.
典型 源-流 二极管
向前 电压
1
10
100
0.1
1
10
100
20µs 脉冲波 宽度
t = 25
C
J
°
顶
BOTTOM
VGS
15V
12V
10V
8.0v
6.0v
4.0v
3.5v
3.0v
v , 流-至-源 电压 (v)
i , 流-至-源 电流 (一个)
DS
D
3.0v
1
10
100
0.1
1
10
100
20µs 脉冲波 宽度
t = 150
C
J
°
顶
BOTTOM
VGS
15V
12V
10V
8.0v
6.0v
4.0v
3.5v
3.0v
v , 流-至-源 电压 (v)
i , 流-至-源 电流 (一个)
DS
D
3.0v
4.5v
4.5v
0.1
1
10
100
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
v ,源-至-流 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
v = 0 v
GS
t = 150 c
J
°
t = 25 c
J
°
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