©2001 仙童 半导体 公司 huf75945g3, huf75945p3, huf75945s3st rev. b
图示 5. 向前 偏差 safe 运行 范围
便条: 谈及 至 仙童 应用 注释 an9321 和 一个9322.
图示 6. unclamped inductive 切换
能力
图示 7. 转移 特性 图ure 8. 饱和 特性
图示 9. normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
图示 10. normalized 门 门槛 电压 vs
接合面 温度
典型 效能 曲线
(持续)
1
10
100
1 10 100
500
500
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
T
J
= 最大值 评估
T
C
= 25
o
C
单独的 脉冲波
100
µ
s
10ms
1ms
限制 用 r
ds(在)
范围 将 是
运作 在 这个
1
10
100
0.001 0.01 0.1 1
200
10
I
作
, avalanche 电流 (一个)
t
AV
, 时间 在 avalanche (ms)
开始 t
J
= 25
o
C
开始 t
J
= 150
o
C
t
AV
= (l)(i
作
)/(1.3*rated bv
DSS
- v
DD
)
如果 r = 0
如果 r
≠
0
t
AV
= (l/r)ln[(i
作
*r)/(1.3*rated bv
DSS
- v
DD
) +1]
0
25
50
75
2345
I
d,
流 电流 (一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DD
= 15v
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0
25
50
75
0123456
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 4.5v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 10v
V
GS
= 5v
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
-80 -40 0 40 80 120 200
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
在 阻抗
V
GS
= 10v, i
D
= 38a
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
160
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80 -40 0 40 80 120 160 200
normalized 门
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
门槛 电压
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