4-2
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 指定
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 状态 规格
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v (图示 11) 150 - - V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 140v, v
GS
= 0v - - 1
µ
一个
V
DS
= 135v, v
GS
= 0v, t
C
= 150
o
C - - 250
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
在 状态 规格
门 至 源 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个 (图示 10) 2 - 4 V
流 至 源 在 阻抗 r
ds(在)
I
D
= 43a, v
GS
= 10v (图示 9) - 0.035 0.042
Ω
热的 规格
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
至-220 - - 0.65
o
c/w
热的 阻抗 接合面 至
包围的
R
θ
JA
--62
o
c/w
切换 规格
(v
GS
= 10v)
转变-在 时间 t
在
V
DD
= 75v, i
D
= 43a
V
GS
=
10v,
R
GS
= 3.9
Ω
(计算数量 18, 19)
- - 100 ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
-13-ns
上升 时间 t
r
-53-ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-47-ns
下降 时间 t
f
-34-ns
转变-止 时间 t
止
- - 120 ns
门 承担 规格
总的 门 承担 Q
g(tot)
V
GS
= 0v 至 20v V
DD
= 75v,
I
D
= 43a,
I
g(ref)
= 1.0ma
(计算数量 13, 16, 17)
- 144 175 nC
门 承担 在 10v Q
g(10)
V
GS
= 0v 至 10v - 77 90 nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
V
GS
= 0v 至 2v - 5.6 6.7 nC
门 至 源 门 承担 Q
gs
-12-nc
门 至 流 "miller" 承担 Q
gd
-30-nc
电容 规格
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz
(图示 12)
- 2730 - pF
输出 电容 C
OSS
- 660 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
- 230 - pF
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 电压 V
SD
I
SD
= 43a - - 1.25 V
I
SD
= 22a - - 1.00 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
SD
= 43a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 190 ns
反转 recovered 承担 Q
RR
I
SD
= 43a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 1.08
µ
C
huf75842p3, huf75842s3ss
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