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IRF7526D1
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图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
0
4
8
12
16
20
024681012
G
GS
一个
-v, gate-至-source voltage (v)
Q, total gate charge (nc)
V= -24v
V= -15v
DS
DS
i    =-1.2一个
D
FOr 测试 电路
SEE图URE9
0.1
1
10
100
1 10 100
OPERATION在这个一个RE一个LIMITE D
BYR
ds(在)
t     =25°C
t     =150°C
Sin
gle P u lse
一个
-i   , drain current (一个)
-v, drain-至-source voltage (v)
DS
D
一个
J
100µs
1ms
10ms
0
100
200
300
400
1 10 100
c, 电容 (pf)
一个
DS
-v, drain-至-source voltage (v)
V=0V,         f = 1MHz
c      =C+c     ,   cSHORTE D
c      =C
c      =C+C
GS
是sgsgdds
rss         gd
oss        dsgd
C
是s
C
oss
C
rss
0.1
1
10
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
t  = 25°c
t  = 150°c
J
J
V=0V
GS
SD
SD
一个
-i     , reverse 流 current (一个)
-v     , 源-至-流 电压 (v)
电源 场效应晶体管 特性

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IRF7526D1 4 www.irf.com 图 7. 典型源-流二极管向前电压图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 8. 最大 safe 运行范围 0 4 8 12 16 20 024681012 G GS 一个 -v, gate-至-source voltage (v) Q, total gate charge (nc) V= -24v V= -15v DS DS i =-1.2一个 D FOr 测试电路 SEE图URE9 0.1 1 10 100 1 10 100 OPERATION在这个一个RE一个LIMITE D BYR ds(在) t =25°C t =150°C Sin gle P u lse 一个 -i , drain current (一个) -v, drain-至-source voltage (v) DS D 一个 J 100µs 1ms 10ms 0 100 200 300 400 1 10 100 c, 电容 (pf) 一个 DS -v, drain-至-source voltage (v) V=0V, f = 1MHz c =C+c , cSHORTE D c =C c =C+C GS 是sgsgdds rss gd oss dsgd C 是s C oss C rss 0.1 1 10 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 t = 25°c t = 150°c J J V=0V GS SD SD 一个 -i , reverse 流 current (一个) -v , 源-至-流电压 (v) 电源场效应晶体管特性

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