IRF7506
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -30 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= -250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– -0.039 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= -1ma
––– ––– 0.27 V
GS
= -10v, i
D
= -1.2a
––– ––– 0.45 V
GS
= -4.5v, i
D
= -0.60a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -1.0 ––– ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 0.92 ––– ––– S V
DS
= -10v, i
D
= -0.60a
––– ––– -1.0 V
DS
= -24v, v
GS
= 0v
––– ––– -25 V
DS
= -24v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 20v
Q
g
总的 门 承担 ––– 7.5 11 I
D
= -1.2a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 1.3 1.9 nC V
DS
= -24v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 2.5 3.7 V
GS
= -10v, 看 图. 6 和 9
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 9.7 ––– V
DD
= -15v
t
r
上升 时间 ––– 12 ––– I
D
= -1.2a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 19 ––– R
G
= 6.2
Ω
t
f
下降 时间 ––– 9.3 ––– R
D
= 12
Ω,
看 图. 10
C
iss
输入 电容 ––– 180 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 87 ––– pF V
DS
= -25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 42 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
µA
Ω
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
nA
ns
注释:
repetitive 比率 – 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度 (看 图. 11)
≤
-1.2a, di/dt
≤
-140a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
, t
J
≤
150°C
脉冲波 宽度
≤
300µs – 职责 循环
≤
2%
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– -1.2 V T
J
= 25°c, i
S
= -1.2a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 30 45 ns T
J
= 25°c, i
F
= -1.2a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 37 55 nC di/dt = -100a/µs
源-流 比率 和 特性
一个
-9.6
–––
–––
–––
-1.25–––
S
D
G
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≤
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