©2003 仙童 半导体 公司 huf76129d3, huf76129d3s rev. b1
切换 规格
(v
GS
= 10v)
转变-在 时间 t
在
V
DD
= 15v, i
D
≅
20a, r
L
= 0.75
Ω
,
V
GS
=
10v, r
GS
= 10
Ω
(计算数量 16, 21, 22)
--80ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
-7-ns
上升 时间 t
r
-47-ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-60-ns
下降 时间 t
f
-54 -ns
转变-止 时间 t
止
--110ns
门 承担 规格
总的 门 承担 Q
g(tot)
V
GS
= 0v 至 10v V
DD
= 15v, i
D
≅
20a,
R
L
= 0.75
Ω
I
g(ref)
= 1.0ma
(计算数量 14, 19, 20)
-3846nc
门 承担 在 5v Q
g(5)
V
GS
= 0v 至 5v - 22 26 nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
V
GS
= 0v 至 1v - 1.4 1.7 nC
门 至 源 门 承担 Q
gs
-3.70- nC
门 至 流 “miller” chatge Q
gd
-11.20- nC
电容 规格
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v, f = 1mhz
(图示 13)
-1425- pF
输出 电容 C
OSS
-720- pF
反转 转移 电容 C
RSS
-170- pF
电的 规格
TA =2 5
o
c, 除非 否则 指定
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 规格
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 电压 V
SD
I
SD
= 20a - - 1.25 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
SD
= 20a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s--72ns
反转 recovered 承担 Q
RR
I
SD
= 20a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 107 nC
典型 效能 曲线
图示 1. normalized 电源 消耗 vs 情况
温度
图示 2. 最大 持续的 流 电流 vs
情况 温度
T
一个
, 包围的 温度 (
o
c)
电源 消耗 乘法器
0
0 25 50 75 100 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
10
0
25 50 75 100 125
I
D
, 流 电流 (一个)
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
25
150
5
20
V
GS
=4.5v
V
GS
=10V
15
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