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资料编号:317693
 
资料名称:HUF76121D3S
 
文件大小: 281.34K
   
说明
 
介绍:
20A, 30V, 0.023 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
 
 


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提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 静电释放 处理 程序.
ultrafet™ 是 一个 商标 的 intersil 公司. pspice® 是 一个 注册 商标 的 microsim 公司.
saber© 是 一个 版权 的 analogy 公司 1-888-intersil 或者 407-727-9207
|
版权
©
intersil 公司 1999.
huf76121d3, huf76121d3s
20a, 30v, 0.023 ohm, n-channel, 逻辑
水平的 ultrafet 电源 mosfets
这些 n-频道 电源 MOSFETs
是 制造的 使用 这
革新的 ultrafet™ 处理.
这个 先进的 处理 技术
achieves 这 最低 可能 在-阻抗 每 硅 范围,
结果 优秀的 效能. 这个 设备 有能力
的 承受 高 活力 在 这 avalanche 模式 和 这
二极管 exhibits 非常 低 反转 恢复 时间 和 贮存
承担. 设计 使用 产品 在哪里 电源
efficiency 是 重要的, 此类 作 切换 regulators,
切换 转换器, 发动机 驱动器, 接转 驱动器, 低-
电压 总线 switches, 和 电源 管理 在 可携带的
和 电池-运作 产品.
formerly developmental 类型 ta76121.
特性
逻辑 水平的 门 驱动
20a, 30v
过激 低 在-阻抗, r
ds(在)
= 0.023
温度 compensating pspice
®
模型
温度 compensating saber
©
模型
热的 阻抗 额外的刺激 模型
热的 阻抗 saber 模型
顶峰 电流 vs 脉冲波 宽度 曲线
uis 比率 曲线
related literature
- tb334, “guidelines 为 焊接 表面 挂载
组件 至 pc boards”
标识
包装
电子元件工业联合会 至-251aa 电子元件工业联合会 至-252aa
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
HUF76121D3 至-251aa 76121D
HUF76121D3S 至-252aa 76121D
便条: 订货, 使用 全部 部分 号码. 增加 后缀 T
获得 这 至-252aa variant 在 录音带 和 卷轴, e.g., huf76121d3st.
D
G
S
(flange)
(flange)
数据 薄板 october 1999 文件 号码
4391.5
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