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资料编号:317817
 
资料名称:IRF7807D1
 
文件大小: 165.81K
   
说明
 
介绍:
MOSFET / SCHOTTKY DIODE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7807D1
2 www.irf.com
电的 特性
肖特基 二极管 &放大; 身体 二极管 比率 和 特性
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
脉冲波 宽度
300 µs; 职责 循环
2%.
当 挂载 在 1 inch 正方形的 铜 板, t < 10 秒.
50% 职责 循环, rectangular
* 设备 是 100% 测试 至 这些 参数.
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
二极管 向前 电压 V
SD
0.5 V T
j
= 25°c, i
s
= 1a, v
GS
=0V
0.39 T
j
= 125°c, i
s
= 1a, v
GS
=0V
反转 恢复 时间 trr 51 ns T
j
= 25°c, i
s
= 7.0a, v
DS
= 16v
反转 恢复 承担 Qrr 48 nC di/dt = 100a/µs
向前 转变-在 时间 t
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
流-至-源 V
(br)dss
30 V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
损坏 voltage*
静态的 流-源 R
DS
(在) 17 25 m
V
GS
= 4.5v, i
D
= 7a
在 resistance*
门 门槛 voltage* V
GS
(th) 1.0 V V
DS
= v
GS
,i
D
= 250µa
流-源 泄漏 I
DSS
90
µ
AV
DS
= 24v, v
GS
= 0v
Current* 7.2 毫安 V
DS
= 24v, v
GS
= 0v,
T
j
= 125°c
门-源 泄漏 I
GSS
+/- 100 nA V
GS
= +/-12v
Current*
总的 门 承担 Q
gsync
10.5 14 V
DS
<100mv,
synch fet* V
GS
= 5v, i
D
= 7a
总的 门 承担 Q
gcont
12 17 V
DS
= 16v,
控制 fet* V
GS
= 5v, i
D
= 7a
前-vth Q
gs1
2.1 V
DS
= 16v, i
D
= 7a
门-源 承担
邮递-vth Q
gs2
0.76 nC
门-源 承担
门 至 流 承担 Q
gd
2.9
转变 charge* Q
SW
3.66 5.2
(q
gs2
+ q
gd
)
输出 charge* Q
oss
15.3 18.4 V
DS
= 16v, v
GS
= 0
门 阻抗 R
g
1.2
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