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资料编号:317819
 
资料名称:IRF7807V
 
文件大小: 159.95K
   
说明
 
介绍:
N Channel Application Specific MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7807V
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
二极管 向前 V
SD
1.2 V I
S
= 7.0a
, v
GS
= 0v
Voltage*
反转 恢复 Q
rr
64 nC di/dt
~
700a/µs
V
DS
= 16v, v
GS
= 0v, i
S
= 7.0a
反转 恢复 Q
rr(s)
41 nC di/dt = 700a/µs
承担 (和 并行的 (和 10bq040)
肖特基)
V
DS
= 16v, v
GS
= 0v, i
S
= 7.0a
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
流-至-源 BV
DSS
30 V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
损坏 电压
静态的 流-源 R
DS
(在)
17 25 m
V
GS
= 4.5v, i
D
= 7.0a
在 阻抗
门 门槛 电压 V
gs(th)
1.0 V V
DS
= v
GS
,i
D
= 250µa
流-源 泄漏 I
DSS
20 V
DS
= 24v, v
GS
= 0
Current*
100 µA V
DS
= 24v, v
GS
= 0,
tj = 100°c
门-源 泄漏 I
GSS
±100 nA V
GS
= ±20v
Current*
总的 门 charge* Q
G
9.5 14 V
GS
=5v, i
D
=7.0a
前-vth Q
GS1
2.3
门-源 承担 V
DS
= 16v
邮递-vth Q
GS2
1.0 nC
门-源 承担
门 至 流 承担 Q
GD
2.4
转变 chg(q
gs2
+ q
gd
) q
sw
3.4 5.2
输出 charge* Q
oss
12 16.8 V
DS
= 16v, v
GS
= 0
门 阻抗 R
G
2.0
转变-在 延迟 时间 t
d (在)
6.3 V
DD
= 16v, i
D
= 7.0a
上升 时间 t
r
1.2 ns v
GS
= 5v, r
G
=
2
转变-止 延迟 时间 t
d
(止)
11 resistive 加载
下降 时间 t
f
2.2
电的 特性
源-流 比率 &放大; 特性
电流
承担
注释:
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
脉冲波 宽度
400 µs; 职责 循环
2%.
当 挂载 在 1 inch 正方形的 铜 板
典型值 = 量过的 - q
oss
典型 值 的 r
DS
(在) 量过的 在 v
GS
= 4.5v, q
G
, q
SW
和 q
OSS
量过的 在 v
GS
= 5.0v, i
F
= 7.0a.
* 设备 是 100% 测试 至 这些 参数.
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