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资料编号:317819
 
资料名称:IRF7807V
 
文件大小: 159.95K
   
说明
 
介绍:
N Channel Application Specific MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7807V
www.irf.com 3
控制 场效应晶体管
特殊 注意 有 被 给定 至 这 电源 损失
入点 这 开关 元素 的 这 电路 - q1 和 q2.
电源 损失 入点 这 高 侧面 开关 q1, 也 被称为
这 控制 场效应晶体管, 是 受影响 由 这 右
ds(开启)
的 这
场效应晶体管, 但是 这些 传导 损失 是 仅 关于
一个 一半 的 这 合计 损失.
电源 损失 入点 这 控制 开关 q1 是 给定
由;
p
损失
= p
传导
+ p
开关
+ p
驱动器
+ p
输出
这个 可以 是 展开 和 近似 由;
p
损失
=
rms
2
×
ds(开启)
()
+
×
q
gd
g
×
v
入点
×
f
+
×
q
gs2
g
×
v
入点
×
f
+
q
g
×
v
g
×
f
()
+
q
开放源码软件
2
×
v
入点
×
f
这个 简化 损失 方程 包括 这 条款 q
gs2
和 q
开放源码软件
哪个 是 新建 至 电源 场效应晶体管 数据 床单.
q
gs2
是 一个 sub 元素 的 传统 栅极-源极
费用 那 是 包括 入点 全部 场效应晶体管 数据 床单.
这 重要性 的 分裂 这个 栅极-源极 费用
进入 两个 sub 元素, q
gs1
和 q
gs2
, 可以 是 已看到 从
无花果 1.
q
gs2
表示 这 费用 那 必须 是 提供的 由
这 闸门 驾驶员 之间 这 时间 那 这 阈值
电压 有 被 已达到 (t1) 和 这 时间 这 排水管
电流 上升 至 我
dmax
(t2) 在 哪个 时间 这 排水管 电压-
年龄 开始 至 变更. 最小化 q
gs2
是 一个 关键 fac-
托尔 入点 减少 开关 损失 入点 q1.
q
开放源码软件
是 这 费用 那 必须 是 提供的 至 这 出点-
put 电容 的 这 场效应晶体管 期间 每 开关-
ing 循环. 图 2 显示 如何 q
开放源码软件
是 成型 由 这
平行 组合 的 这 电压 受抚养人 (非-
线性) 电容’s c
ds
和 c
dg
当 相乘 由
这 电源 供应 输入 总线 电压.
图 1: 典型 场效应晶体管 开关 波形
同步 场效应晶体管
这 电源 损失 方程 用于 q2 是 近似
由;
p
损失
=
p
传导
+
p
驱动器
+
p
输出
*
p
损失
=
rms
2
×
ds(开启)
()
+
q
g
×
v
g
×
f
()
+
q
开放源码软件
2
×
v
入点
×
f
+
q
rr
×
v
入点
×
f
( )
*dissipated 主要 入点 q1.
电源 场效应晶体管 选择 用于 直流/直流
转换器
4
1
2
排水管 电流
闸门 电压
排水管 电压
t3
t2
t1
v
gth
q
GS1
q
GS2
q
gd
t0
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