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资料编号:317835
 
资料名称:IRF7910
 
文件大小: 122.33K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7910
2 www.irf.com
标识
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
–––
0.85 1.3 V T
J
= 25
°
c, i
S
= 8.0a, v
GS
= 0v
–––
0.70
–––
T
J
= 125
°
c, i
S
= 8.0a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间
–––
50 75 ns T
J
°
F
R
=12V
Q
rr
反转 恢复 承担
–––
60 90 nC di/dt = 100a/µs
t
rr
反转 恢复 时间
–––
51 77 ns T
J
°
F
R
=12V
Q
rr
反转 恢复 承担
–––
60 90 nC di/dt = 100a/µs
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
标识 参数 典型值 最大值 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
–––
100 mJ
I
AR
avalanche 电流
–––
8.0 一个
avalanche 特性
S
D
G
二极管 特性
1.8
79
标识
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 18
––– –––
SV
DS
= 6.0v, i
D
Q
g
–––
17 26 i
D
= 8.0a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
4.4
–––
nC V
DS
= 6.0v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
5.2
–––
V
GS
= 4.5v
Q
oss
输出 门 承担
–––
16
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 10v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
9.4
–––
V
DD
= 6.0v
t
r
–––
22
–––
I
D
= 8.0a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
16
–––
R
G
= 1.8
t
f
下降 时间
–––
6.3
–––
V
GS
C
iss
输入 电容
–––
1730
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
1340
–––
V
DS
= 6.0v
C
rss
反转 转移 电容
–––
330
–––
pF
ƒ
= 1.0mhz
V
SD
二极管 向前 电压
静态的 @ t
J
= 25
°
c (除非 否则 指定)
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 m
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 12
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.01
–––
v/
°
°
D
= 1ma
–––
11.5 15 V
GS
= 4.5v, i
D
= 8.0a
–––
20 50 V
GS
= 2.8v, i
D
= 5.0a
V
gs(th)
门 门槛 电压 0.6
–––
2.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
––– –––
100
µA
V
DS
= 9.6v, v
GS
––– –––
250 V
DS
= 9.6v, v
GS
= 0v, t
J
= 125
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
200 V
GS
= 12v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
-200
nA
V
GS
= -12v
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