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资料编号:317835
资料名称:
IRF7910
文件大小: 122.33K
说明
:
介绍
:
HEXFET Power MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7910
4
www.irf.com
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
, 源-todrain 电压 (v)
0.1
1.0
10.0
100.0
I
S
D
,
R
e
v
e
r
s
e
D
r
一个
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
V
GS
= 0v
0
1
10
100
V
DS
, 流-tosource 电压 (v)
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
tc = 25
°
C
tj = 150
°
C
单独的 脉冲波
1msec
10msec
运作 在 这个 范围
限制 用 r
DS
(在)
100µsec
1
10
100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
100
1000
10000
C
,
C
一个
p
一个
c
i
t
一个
n
c
e
(
p
F
)
Coss
Crss
Ciss
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
0
10203040
Q
G
总的 门 承担 (nc)
0
2
4
6
8
10
12
V
G
S
,
G
一个
t
e
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
V
o
l
t
一个
g
e
(
V
)
V
DS
= 9.6v
V
DS
= 6.0v
I
D
= 8.0a
为 测试 电路
看 图示 13
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