rev. 一个, 十一月 2001©2001 仙童 半导体 公司
irf830b/irfs830b
典型 特性
(持续)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
注释 :
1. z
θ
JC
(t) = 1.71
℃
/w M ax.
2. d uty 因素, d=t
1
/t
2
3. t
JM
- t
C
= p
DM
* z
θ
JC
(t)
sin gle pu lse
d=0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
JC
(t), therm 一个l r esp在se
t
1
, 正方形的 wave 脉冲波 持续时间 [sec]
图示 11-1. 瞬时 热的 回馈 曲线 为 irf830b
t
1
P
DM
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
注释 :
1. z
θ
JC
(t) = 3.31
℃
/w M ax.
2. d uty 因素, d=t
1
/t
2
3. t
JM
- t
C
= p
DM
* z
θ
JC
(t)
sin gle pu lse
d=0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
JC
(t), therm 一个l r esp在se
t
1
, 正方形的 wave 脉冲波 持续时间 [sec]
图示 11-2. 瞬时 热的 回馈 曲线 为 irfs830b
t
1
P
DM
t
2