1999 Jan 06 9
飞利浦 半导体 产品 规格
256
×
8-位 静态的 低-电压 内存 和
I
2
c-总线 接口
PCF8570
11 直流 特性
V
DD
= 2.5 至 6.0 v; v
SS
= 0 v; t
amb
=
−
40 至 +85
°
c; 除非 否则 specified.
注释
1. 这 电源-在 重置 电路 resets 这 i
2
c-总线 逻辑 当 v
DD
<v
POR
. 这 状态 的 这 设备 之后 一个 电源-在 重置
情况 能 是 测试 用 sending 这 从动装置 地址 和 测试 这 acknowledge 位.
2. 如果 这 输入 电压 是 一个 二极管 电压 在之上 或者 在下 这 供应 电压 v
DD
或者 v
SS
一个 输入 电流 将 流动; 这个
电流 必须 不 超过
±
0.5 毫安.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应
V
DD
供应 电压 2.5
−
6.0 V
I
DD
供应 电流
备用物品 模式 V
I
=V
DD
或者 v
SS
;
f
SCL
= 0 hz;
T
amb
=
−
25 至 +70
°
C
−−
5
µ
一个
运行 模式 V
I
=V
DD
或者 v
SS
;
f
SCL
= 100 Hz
−−
200
µ
一个
V
POR
电源-在 重置 电压 便条 1 1.5 1.9 2.3 V
输入, 输入/输出 sda
V
IL
低 水平的 输入 电压 便条 2
−
0.8
−
0.3v
DD
V
V
IH
高 水平的 输入 电压 便条 2 0.7v
DD
−
V
DD
+ 0.8 V
I
OL
低 水平的 输出 电流 V
OL
= 0.4 V 3
−−
毫安
I
LI
输入 泄漏 电流 V
I
=V
DD
或者 V
SS
−
1
−
+1
µ
一个
输入 a0, a1, a2 和 测试
I
LI
输入 泄漏 电流 V
I
=V
DD
或者 V
SS
−
250
−
+250 nA
输入 scl 和 sda
C
i
输入 电容 V
I
=V
SS
−−
7pF
低 v
DD
数据 保持
V
DDR
供应 电压 为 数据 保持 1
−
6V
I
DDR
供应 电流 V
DDR
=1V
−−
5
µ
一个
V
DDR
=1v;
T
amb
=
−
25 至 +70
°
C
−−
2
µ
一个
电源-节省 模式
(看 figs 13 和 14)
I
DDR
供应 电流 测试 = V
DD
; t
amb
=25
°
C
−
50 400 nA
t
HD2
恢复 时间
−
50
−µ
s
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