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4/28/04
IRF8910
HEXFET
电源 场效应晶体管
注释
通过
是 在 页 10
所以-8
益处
非常 低 r
ds(在)
在 4.5v v
GS
过激-低 门 阻抗
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
20v v
GS
最大值 门 比率
绝对 最大 ratings
参数 单位
V
DS
流-至-源 电压 V
V
GS
门-至-源 电压
I
D
@ t
一个
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
D
@ t
一个
= 70°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
DM
搏动 流 电流
c
P
D
@T
一个
= 25°c
电源 消耗 W
P
D
@T
一个
= 70°c
电源 消耗
直线的 减额 因素 w/°c
T
J
运行 接合面 和 °C
T
STG
存储 温度 范围
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JL
接合面-至-流 含铅的 ––– 20 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
fg
––– 62.5
最大值
10
8.3
82
± 20
20
-55 至 + 150
2.0
0.016
1.3
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
产品
双 所以-8 场效应晶体管 为 pol
转换器 在 desktop, servers,
graphics cards, game consoles
和 设置-顶 盒
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
20V
13.4m
:
@V
GS
= 10v
10A
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