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资料编号:319827
 
资料名称:IRF9510
 
文件大小: 171.75K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
 
 


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5-7
图示 10. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 11. 电容 vs 流 至 源 电压
图示 12. 跨导 vs 流 电流 图示 13. 源 至 流 二极管 电压
图示 14. 门 至 源 电压 vs 门 承担
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
1.25
1.05
0.85
80-40
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
1.15
0.95
0.75
0 40 120 160
损坏 电压
0 -10 -20 -30 -40 -50
c, 电容 (pf)
V
ds,
流 至 源 电压 (v)
500
400
300
200
100
0
C
RSS
C
ISS
C
OSS
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
I
d,
流 电流 (一个)
-1.2 -2.4 -3.6 -4.80 -6.0
2.5
2.0
1.5
0
1.0
g
fs
, 跨导 (s)
80
µ
s 脉冲波 测试
0.5
V
DS
>
I
d(在)
x r
ds(在) 最大值
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
I
SD
, 源 至 流 电流 (一个)
V
SD
, 源 至 流 电压 (v)
-10
2
-10
-1
-0.1
-0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.8-1.4 -1.6
Q
g(tot),
总的 门 承担 (nc)
2468010
-15
0
-10
V
gs,
门 至 源 电压 (v)
-5
V
DS
= -20v
I
D
= -4a
V
DS
= -50v
V
DS
= -80v
IRF9510
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