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资料编号:319869
 
资料名称:MRF951
 
文件大小: 164.79K
   
说明
 
介绍:
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
 
 


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msc1326.pdf 10-25-99
MRF951
电的 规格 (tcase = 25
°
c)
静态的
(止)
标识 测试 情况
最小值 典型值 最大值 单位
BVCEO 集电级-发射级 损坏 电压
(ic = 0.1madc, ib = 0) 10 - - Vdc
BVCBO 集电级-根基 损坏 电压
(ic = 0.1madc, ie = 0) 20 - - Vdc
ICBO 集电级 截止 电流
(vce = 10vdc, vbe = 0vdc) - - 0.1
µ
一个
IEBO 集电级 截止 电流
(vce = 1.0vdc, vbe = 0vdc) - - 0.1
µ
一个
(在)
HFE 直流 电流 增益
(ic = 5.0madc, vce = 6.0vdc) 50 - 200
-
动态
标识 测试 情况
最小值 典型值 最大值 单位
CCB 集电级-根基 电容
(vcb = 10vdc, ie = 0, f = 1.0 mhz)
-
.45 1.0 pF
Ftau 电流-增益 带宽 产品
(ic = 30madc, vce = 6vdc, f = 1.0ghz)
-
8.0 - GHz
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