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资料编号:319921
 
资料名称:IRF9640
 
文件大小: 170.94K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A)
 
 


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4-36
图示 4. 向前 偏差 safe 运行 范围 图示 5. 输出 特性
图示 6. 饱和 特性 图示 7. 转移 特性
便条: 加热 效应 的 5
µ
s 脉冲波 是 minimal.
图示 8. 阻抗 vs
电压 和 流 电流
图示 9. NORMALIZED
阻抗 vs 接合面 温度
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
-10
I
D
, 流 电流 (一个)
-100
-100
-1
100
µ
s
10
µ
s
直流
1ms
10ms
100ms
-10-1
限制 用 r
ds(在)
范围 将 是
运作 在 这个
-0.1
-1000
T
C
= 25
o
C
单独的 脉冲波
T
J
= 最大值 评估
I
D
, 流 电流 (一个)
0 -10 -20 -30 -40
-10
-20
-30
-40
-50
-50
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= -11v
V
GS
= -10v
V
GS
= -9v
V
GS
= -8v
V
GS
= -7v
V
GS
= -6v
V
GS
= -5v
V
GS
= -4v
0
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
-4
0
-2
-4 -6 -10
-8
-12
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
-16
-8
-20
V
GS
= -6v
V
GS
= -7v
V
GS
= -8v
V
GS
= -5v
V
GS
= -4v
V
GS
= -10v
V
GS
= -9v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0
0
-4 -6 -8 -10-2
-0.1
-1.0
-10
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
100
125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
I
d(在)
x r
ds(在)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0
0.3
0.6
0.7
-15
-30
-45 -60
r
ds(在)
, 流 至 源
I
D
, 流 电流 (一个)
-75
0.8
0
0.2
0.4
0.5
V
GS
= -10v
V
GS
= - 20V
5
µ
s 脉冲波 测试
在 阻抗 (
)
normalized 流 至 源
2.5
1.5
1.0
0.5
0.0
-40 0 40
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
120 160
2.0
80
V
GS
= -10v, i
D
= -6a
在 阻抗
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
irf9640, rf1s9640sm
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