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资料编号:320119
 
资料名称:IRF9Z34NL
 
文件大小: 162.29K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
 
 


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irf9z34ns/l
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
1
10
100
0.1 1 10 100
D
DS
20µs 脉冲波 wIDTH
T= 25°c
c
一个
-i , d ra在-至-source c urrent (一个)
-v, 流-至-所以urce voltage (v)
VGS
顶 - 15v
- 10v
- 8.0v
- 7.0v
- 6.0v
- 5.5v
- 5.0v
BO TT OM - 4. 5V
-4.5v
1
10
100
0.1 1 10 100
D
DS
一个
-i , 流-至-源 电流 (一个)
-v, dra-至-源 voltage (v)
VGS
顶 - 15v
- 10v
- 8.0v
- 7.0v
- 6.0v
- 5.5v
- 5.0v
BO TT OM - 4. 5V
-4.5v
20µs脉冲波 wIDTH
T= 175°C
C
1
10
100
45678910
t = 25°C
J
GS
D
一个
-i, d ra-至-SourceC urrent (一个)
-v,Gate-至-so urce voltage(v)
V =-2 5V
20µs 脉冲波 w IDTH
DS
t = 175°c
J
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
J
t , junction temperature (°c)
R , drain-至-s ource o n resistance
ds(在)
(非rm一个lized)
一个
V= -10V
GS
I=-17一个
D
T
J
= 25°c
T
J
= 175°c
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