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资料编号:320120
资料名称:
IRF9Z34NS
文件大小: 162.29K
说明
:
介绍
:
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irf9z34ns/l
顶峰 二极管 恢复 dv/dt 测试 电路
p.w.
时期
di/dt
二极管 恢复
dv/dt
波纹
≤
5%
身体 二极管
向前 漏出
re-应用
电压
反转
恢复
电流
身体 二极管 向前
电流
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
驱动器 门 驱动
d.u.t. i
SD
波形
d.u.t. v
DS
波形
inductor curent
d =
p.
W
.
时期
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
•
dv/dt 控制 用 r
G
•
I
SD
控制 用 职责 因素 "d"
•
d.u.t. - 设备 下面 测试
d.u.t
*
电路 布局 仔细考虑
•
低 偏离 电感
•
地面 平面
•
低 泄漏 电感
电流 变压器
*
反转 极性 的 d.u.t 为 p-频道
V
GS
[ ]
[ ]
***
V
GS
= 5.0v 为 逻辑 水平的 和 3v 驱动 设备
[ ] ***
图 14.
为 p-频道 hexfets
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