将 13, 2004 27631a4
s29glxxxn mirrorbittm flash 家族 17
进步 信息
谈及 至 这 直流 特性 表格 为 这 起作用的 电流 规格 为 这
写 模式. 这 交流 特性 部分 包含 定时 规格 tables
和 定时 图解 为 写 行动.
写 缓存区
写 缓存区 程序编制 准许 这 系统 写 至 一个 最大 的 16 words/32
字节 在 一个 程序编制 运作. 这个 结果 在 faster 有效的 程序编制
时间 比 这 标准 程序编制 algorithms. 看 “write buffer” 为 更多
信息.
accelerated 程序 运作
这 设备 提供 accelerated 程序 行动 通过 这 acc 函数. 这个
是 一个 的 二 功能 提供 用 这 wp#/acc 管脚. 这个 函数 是 primarily
将 至 准许 faster 制造 throughput 在 这 工厂.
如果 这 系统 asserts v
HH
在 这个 管脚, 这 设备 automatically enters 这 afore-
提到 unlock 绕过 模式, temporarily unprotects 任何 保护 sector
groups, 和 使用 这 高等级的 电压 在 这 管脚 至 减少 这 时间 必需的 为
程序 行动. 这 系统 将 使用 一个 二-循环 程序 command se-
quence 作 必需的 用 这 un锁 绕过 模式. removing v
HH
从 这 wp#/
acc 管脚 returns 这 设备 至 正常的 运作.
便条 那 这 wp#/acc 管脚 必须
不 是 在 v
HH
为 行动 其它 比 accelerated 程序编制, 或者 设备 dam-
age 将 结果. wp# 有 一个 内部的 pullup; 当 unconnected, wp# 是 在 v
IH
.
autoselect 功能
如果 这 系统 写 这 autoselect comm和 sequence, 这 设备 enters 这 au-
toselect 模式. 这 系统 能 然后 读 autoselect 代号 从 这 内部的
寄存器 (这个 是 separate 从 这 记忆 排列) 在 dq7–dq0. 标准 读
循环 timings 应用 在 这个 模式. 谈及 至 这 “autoselect mode” 部分 在 页
44 和 “autoselect command sequence” 部分 在 页 58 sections 为 更多
信息.
备用物品 模式
当 这 系统 是 不 读 或者 writing 至 这 设备, 它 能 放置 这 设备
在 这 备用物品 模式. 在 这个 模式, 电流 消耗量 是 非常 减少, 和
这 输出 是 放置 在 这 高 impedance 状态, 独立 的 这 oe#
输入.
这 设备 enters 这 cmos 备用物品 模式 当 这 ce# 和 reset# 管脚 是
两个都 使保持 在 v
IO
± 0.3 v. (便条 那 这个 是 一个 更多 restricted 电压 范围 比
V
IH
.) 如果 ce# 和 reset# 是 使保持 在 v
IH
, 但是 不 在里面 v
IO
± 0.3 v, 这 设备
将 是 在 这 备用物品 模式, 但是 这 备用物品 电流 将 是 更好. 这 设备
需要 标准 进入 时间 (t
CE
) 为 读 进入 当 这 设备 是 在 也
的 这些 备用物品 模式, 在之前它 是 准备好 至 读 数据.
如果 这 设备 是 deselected 在 erasure 或者 程序编制, 这 设备 牵引 交流-
tive 电流 直到 这 运作 是 完成.
谈及 至 这 “dc characteristics” section 在 页 86 为 这 备用物品 电流
规格.
自动 睡眠 模式
这 自动 睡眠 模式 降低 flash 设备 活力 消耗量. 这 de-
恶行 automatically 使能 这个 模式 当 地址 仍然是 稳固的 为 t
ACC
+
30 ns. 这 自动 睡眠 模式 是 独立 的 这 ce#, we#, 和 oe# con-
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