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资料编号:322971
资料名称:
FDC6020C
文件大小: 211.51K
说明
:
介绍
:
Complementary PowerTrench MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fdc6020c revb (w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识
参数 测试 情况 类型
最小值
典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏
电压
V
GS
= 0 v,
I
D
= –250 µa
V
GS
= 0 v,
I
D
= 250 µa
Q1
Q2
–20
20
V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压
温度 系数
I
D
= –250 µa, 关联 至 25
°
C
I
D
= 250 µa, 关联 至 25
°
C
Q1
Q2
–14
12
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流
电流
V
DS
= –16 v,
V
GS
= 0 v
V
DS
= 16 v,
V
GS
= 0 v
Q1
Q2
–1
1
µ
一个
I
GSS
门-身体 泄漏
V
GS
= +
12 v,
V
DS
= 0 v
V
GS
= +
12 v,
V
DS
= 0 v
Q1
Q2
+
100
+
100
nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250 µa
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa
Q1
Q2
–0.6
0.6
–1.0
1.0
–1.5
1.5
V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= –250 µa, 关联 至 25
°
C
I
D
= 250 µa, 关联 至 25
°
C
Q1
Q2
3
–3
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= –4.5 v,
I
D
= –4.2 一个
V
GS
= –2.5 v,
I
D
= –3.4 一个
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –4.2 一个,t
J
=125
°
C
Q1
45
65
58
55
82
73
m
Ω
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 5.9 一个
V
GS
= 2.5 v,
I
D
= 4.9 一个
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 5.9 一个, t
J
= 125
°
C
Q2
23
33
31
27
39
39
g
FS
向前 跨导 v
DS
= –5 v,
I
D
= – 4.2 一个
V
DS
= 5 v,
I
D
= 5.9 一个
Q1
Q2
13
23
S
动态 特性
C
iss
输入 电容
Q1
Q2
753
677
pF
C
oss
输出 电容
Q1
Q2
163
171
pF
C
rss
反转 转移 电容
q1:
V
DS
= –10 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
q2:
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
Q1
Q2
83
91
pF
R
G
门 阻抗
V
GS
=
15mv,
f = 1.0 mhz
q1 8
Ω
q2 2.2
切换 特性
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
Q1
Q2
13
11
23
20
ns
t
r
转变-在 上升 时间
Q1
Q2
8
16
16
29
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
Q1
Q2
26
18
42
32
ns
t
f
转变-止 下降 时间
q1:
V
DD
= –10 v,
I
D
= –1 一个,
V
GS
= –4.5 v,
R
GEN
= 6
Ω
q2:
V
DD
= 10 v,
I
D
= 1 一个,
V
GS
= 4.5v,
R
GEN
= 6
Ω
Q1
Q2
14
7
52
14
ns
Q
g
总的 门 承担
Q1
Q2
7
6
10
8
nC
Q
gs
门-源 承担
Q1
Q2
1.6
1.5
nC
Q
gd
门-流 承担
q1:
V
DS
= –10 v,i
D
= –4.2 一个,v
GS
= –4.5v
q2:
V
DS
= 10 v, i
D
= 5.9 一个,v
GS
= 4.5 v
Q1
Q2
1.9
1.8
nC
FDC6020C
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