fdd5614p rev c(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 avalanche 比率
(便条 1)
W
DSS
单独的 脉冲波 流-源
avalanche 活力
V
DD
= –30 v, I
D
= –4.5 一个 90 mJ
I
AR
最大 流-源 avalanche
电流
–4.5 一个
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= –250
µ
一个
–60 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= –250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
–49
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= –48 v, V
GS
= 0 v –1
µ
一个
I
GSSF
gate–body 泄漏, 向前 V
GS
= 20v, V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
gate–body 泄漏, 反转 V
GS
= –20 v, V
DS
= 0 v –100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
µ
一个
–1 –1.6 –3 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= –250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
4
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= –10 v, I
D
= –4.5 一个
V
GS
= –4.5 v, I
D
= –3.9 一个
V
GS
= –10 v,i
D
= –4.5 一个,t
J
=125
°
C
76
99
137
100
130
185
m
Ω
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
= –10 v, V
DS
= –5 v –20 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= –5 v, I
D
= –3 一个 8 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 759 pF
C
oss
输出 电容 90 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= –30 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
39 pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 7 14 ns
t
r
turn–on 上升 时间 10 20 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 19 34 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= –30 v, I
D
= –1 一个,
V
GS
= –10 v, R
GEN
= 6
Ω
12 22 ns
Q
g
总的 门 承担 15 24 nC
Q
gs
gate–source 承担 2.5 nC
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= –30v, I
D
= –4.5 一个,
V
GS
= –10 v
3.0 nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 drain–source 二极管 向前 电流 –3.2 一个
V
SD
drain–source 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
= –3.2 一个
(便条 2)
–0.8 –1.2 V
FDD5614P
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