关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:323278
资料名称:
FDD5614P
文件大小: 81.67K
说明
:
介绍
:
60V P-Channel PowerTrench MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fdd5614p rev c(w)
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 所以
lder 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个) r
θ
JA
= 40°c/w 当 挂载 在 一个
1in
2
垫子 的 2 oz 铜
b) r
θ
JA
= 96°c/w 当 挂载
在 一个 最小 垫子.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
3.
最大 电流 是 计算 作:
在哪里 p
D
是 最大 电源 消耗 在 t
C
= 25°c 和 r
ds(在)
是 在 t
j(最大值)
和 v
GS
= 10v. 包装 电流 限制 是 21a
)在(ds
D
R
P
FDD5614P
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com