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资料编号:323289
 
资料名称:FDD6530A
 
文件大小: 82.4K
   
说明
 
介绍:
20V N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FDD6530a rev.C(w)
)(DS
D
R
P
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 avalanche 比率(便条 2)
W
DSS
流-源 avalanche 活力 单独的 脉冲波, V
DD
=10V 55 mJ
I
AR
流-源 avalanche 电流 8 一个
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压 V
GS
= 0 v, I
D
= 250
µ
一个 20 V
BVDSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
15
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
=16v, V
GS
= 0 v 1
µ
一个
I
GSSF gate–body 泄漏, 向前
V
GS
=8v, V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR gate–body 泄漏, 反转
V
GS
= –8v, V
DS
= 0 v –100 nA
在 特性 (便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, I
D
= 250
µ
一个 0.4 0.9 1.2 V
Vgs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
–3
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
=4.5v, I
D
=8一个
V
GS
=2.5 v, I
D
=6.6一个
V
GS
=4.5v, I
D
=8一个, t
J
= 125
°
C
26
36
36
32
47
48
m
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
=4.5v, V
DS
= 5 v 20 一个
g
FS
向前跨导 V
DS
= 5 v, I
D
=8一个 21 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 710 pF
C
oss
输出 电容 173 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 10v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
84 pF
切换 特性 (便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 8 16 ns
t
r
turn–on 上升 时间 7 14 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 18 32 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= 10v, I
D
= 1 一个,
V
GS
=4.5v, R
GEN
= 6
4 8 ns
Q
g
总的 门 承担 6.5 9 nC
Q
gs
gate–source 承担 1.3 nC
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= 10v, I
D
=8一个,
V
GS
=4.5 v
1.9 nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 drain–source 二极管 向前 电流 2.7 一个
V
SD
drain–source 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
= 2.7 一个 (便条 2) 0.8 1.2 V
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 焊盘 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个)R
θ
JA
= 45°c/w 当 挂载 在 一个
1in
2
垫子 的 2 oz 铜
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
b)R
θ
JA
= 96°c/w 当 挂载
在 一个 最小 垫子.
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
3.
最大 电流 是 计算 作:
在哪里 p
D
是 最大 电源 消耗 在 t
C
= 25°c 和R
ds(在)
是 在 t
j(最大值)
和 v
GS
= 10v. 包装 电流 限制 是 21a
FDD6530A
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