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资料编号:323324
 
资料名称:FDFS2P102
 
文件大小: 87.07K
   
说明
 
介绍:
Integrated P-Channel MOSFET and Schottky Diode
 
 


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FDFS2P102
fdfs2p102 rev. e
典型 特性
(持续)
图示 7. 门-承担 特性.
图示 8. 电容 特性.
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线.
热的 描绘 执行 使用 这 情况 描述 在 便条 1c.
瞬时 themal 回馈 将 改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
0
2
4
6
8
10
0 5 10 15 20 25 30 35
Q
g
, 门 承担 (nc)
V
GS
, 门-源 电压 (v)
I
D
= 7.6a
V
DS
= 10v
20V
40V
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0 1020304050607080
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1mhz
V
GS
= 0 v
图示 10. 肖特基 二极管 反转 电流.
图示 9. 肖特基 二极管 向前 电压
.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
v , 向前 电压 (v)
i , 向前 电流 (一个)
25 C
F
F
t = 125 C
J
0 5 10 15 20
0.0001
0.0002
0.0005
0.001
v , 反转 电压 (v)
i , 反转 电流 (一个)
R
R
t = 25 C
J
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , 时间 (秒)
瞬时 热的 阻抗
r(t), normalized 有效的
1
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
职责 循环, d = t /t
1
2
r (t) = r(t) * r
r =135 c/w
θ
JA
θ
JA
θ
JA
t - t = p * r (t)
θ
JA
一个
J
p(pk)
t
1
t
2
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