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资料编号:323330
 
资料名称:FDFS2P103A
 
文件大小: 144.17K
   
说明
 
介绍:
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
 
 


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fdfs2p103a rev c (w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, I
D
= –250
µ
一个
–30 V
BV
DSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= –250
µ
一个,
关联 至 25
°
C
–22
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= –24 v, V
GS
= 0 v –1
µ
一个
I
GSS
gate–body 泄漏 V
GS
= ±25 v, V
DS
= 0 v ±100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
µ
一个
–1 –1.8 –3 V
V
gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= –250
µ
一个,
关联 至 25
°
C
4.2
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= –10 v, I
D
= –5.3 一个
V
GS
= –4.5 v, I
D
= –4 一个
V
GS
=–10 v, i
D
= –5.3a, t
J
=125
°
C
50
76
68
59
92
88
m
g
FS
向前 跨导 V
DS
= –5v, I
D
= –5.3 一个 8.9 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 535 pf
C
oss
输出 电容 135 pf
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= –15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
75 pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 0 v, f = 1.0 mhz 4.7
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间
11 21 ns
t
r
turn–on 上升 时间 16 28 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 15 26 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= –15 v, I
D
= –1 一个,
V
GS
= –10 v, R
GEN
= 6
10 19 ns
Q
g
总的 门 承担 5.7 8 nC
Q
gs
gate–source 承担 1.8 nc
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= –15 v, I
D
= –5.3 一个,
V
GS
= –5 v
2.4 nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 drain–source 二极管 向前 电流 –1.3 一个
V
SD
drain–source 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
= –1.3 一个
(便条 2)
–0.8
–1.2
V
肖特基 二极管 特性
I
R
反转 泄漏 V
R
= 30 v 160 500
µ
一个
T
J
= 25
°
C
225 280mV
I
F
= 0.1a
T
J
= 125
°
C
80 250 mv
T
J
= 25
°
C
305 350mV
I
F
= 1a
T
J
= 125
°
C
185 250mV
V
F
向前 电压
I
F
= 3a
T
J
= 25
°
C
380 420mV
FDFS2P103A
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