九月 2003
2003 仙童 半导体 公司
fdg6332c rev c2 (w)
FDG6332C
20v n &放大; p-频道PowerTrench
MOSFETs
一般 描述
这 n &放大; p-频道mosfets 是 生产 使用
仙童 半导体’s 先进的PowerTrench
处理 那 有 被 特别 tailored 至 降低
在-状态 阻抗 和 还 维持 更好的
切换 效能.
这些 设备 有 被 设计 至 提供
exceptional 电源 消耗 在 一个 非常 小 footprint
为 产品 在哪里 这 bigger 更多 expensive
tssop-8 和 ssop-6 包装 是 impractical.
产品
•
直流/直流 转换器
•
加载 转变
•
lcd 显示 反相器
特性
•
Q1
0.7 一个, 20v. R
ds(在)
= 300 m
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
R
ds(在)
= 400 m
Ω
@ v
GS
= 2.5 v
•
Q2
–0.6 一个, –20v. R
ds(在)
= 420 m
Ω
@ v
GS
= –4.5 v
R
ds(在)
= 630 m
Ω
@ v
GS
= –2.5 v
•
低 门 承担
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
sc70-6 包装: 小 footprint (51% 小 比
ssot-6); 低 profile (1mm 厚)
S
G
D
D
G
S
管脚 1
sc70-6
Complementary
6
5
43
2
1
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 Q1 Q2 单位
V
DSS
流-源 电压 20 –20 V
V
GSS
门-源 电压
±
12
±
12
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1)
0.7 –0.6 一个
– 搏动 2.1 –2
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1)
0.3 W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1)
415
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
.32FDG6332C7’’8mm3000 单位
FDG6332C
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