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资料编号:323333
 
资料名称:FDG6332C
 
文件大小: 93.06K
   
说明
 
介绍:
20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs
 
 


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fdg6332c rev c2 (w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
Q1
0.25
最大 持续的 drain–source 二极管 向前 电流
Q2
–0.25
一个
V
SD
Q1
V
GS
= 0 v, I
S
= 0.25 一个
(便条 2)
0.74 1.2
drain–source 二极管 向前
电压
Q2
V
GS
= 0 v, I
S
= –0.25 一个
(便条 2)
–0.77 –1.2
V
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 焊盘 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
JA
是 决定 用 这 用户's 板 设计. r
θ
JA
= 415°c/w 当 挂载 在 一个 最小 垫子 的 fr-4
pcb 在 一个 安静的 空气 环境.
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
FDG6332C
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