fdss2407 rev. 一个
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fdss2407 n-频道 双 场效应晶体管
2
场效应晶体管 最大 比率
T
一个
=25°c 除非 否则 指出
热的 特性
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
止 特性
在 特性
动态 特性
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流 至 源 电压 62 V
V
GS
门 至 源 电压 ±20 V
I
D
流 电流
3.3 一个
持续的 (t
一个
= 25
o
c, v
GS
= 10v, r
θ
JA
= 55
o
c/w)
持续的 (t
一个
= 25
o
c, v
GS
= 5v, r
θ
JA
= 55
o
c/w) 3.0 一个
搏动 图示 4 一个
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力 ( 便条 1) 140 mJ
P
D
电源 消耗 2.27 W
减额 在之上 25
o
c18mw/
o
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 -55 至 150
o
C
R
θ
JA
垫子 范围 = 0.50 在
2
(323 mm
2
) (便条 2) 55
o
c/w
R
θ
JA
垫子 范围 = 0.027 在
2
(17.4 mm
2
) (便条 3) 180
o
c/w
R
θ
JA
垫子 范围 = 0.006 在
2
(3.87 mm
2
) (便条 4) 200
o
c/w
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
2407 FDSS2407 所以-8 330 mm 12 mm 2500
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
B
VDSS
流 至 源 损坏 电压 I
D
= 5ma, v
GS
= 0v 62 - - V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 15v, v
GS
=0V - - 1
µ
一个
V
DS
= 15v, v
GS
=0v,
T
一个
=150
o
C
- - 250
I
GSS
门 至 源 泄漏 电流 V
GS
= ±20v - - ±100 nA
V
gs(th)
门 至 源 门槛 电压 V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
a1-3v
r
ds(在)
流 至 源 在 阻抗
I
D
= 3.3a, v
GS
= 10v - 0.099 0.110
Ω
I
D
= 3.0a, v
GS
= 5v - 0.115 0.132
C
ISS
输入 电容
V
DS
= 15v, v
GS
= 0v,
f = 75khz
- 300 - pF
C
OSS
输出 电容 - 140 - pF
C
RSS
反转 转移 电容 - 16 - pF
R
G
门 阻抗 - 8500 -
Ω
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 5v V
GS
= 0v 至 5v
V
DD
= 30v
I
D
= 3.3a
I
g
= 1.0ma
-3.34.3nc
Q
g(th)
门槛 门 承担 V
GS
= 0v 至 1v - 0.4 0.5 nC
Q
gs
门 至 源 门 承担 - 1.2 - nC
Q
gs2
门 承担 门槛 至 plateau - 0.8 - nC
Q
gd
门 至 流 “miller” 承担 - 2.0 - nC
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