fdss2407 rev. 一个
www.fairchildsemi.com
fdss2407 n-频道 双 场效应晶体管
3
切换 特性
(v
GS
= 10v)
流-源 二极管 特性
流 反馈 特性
门 驱动 使不能运转 特性
注释:
1.
开始 t
J
= 25°c, l = 42mh, i
作
= 2.6a, v
DD
= 62v, v
GS
= 10v.
2.
55
o
c/w 量过的 使用 fr-4 板 和 0.50 在
2
(323 mm
2
) 铜 垫子 在 1 第二.
3.
180
o
c/w 量过的 使用 fr-4 板 和 0.027 在
2
(17.4 mm
2
) 铜 垫子 在 1000 秒.
4.
200
o
c/w 量过的 使用 fr-4 板 和 0.006 在
2
(3.87 mm
2
) 铜 垫子 在 1000 秒.
t
在
转变-在 时间
V
DD
= 30v, i
D
= 3.3a
V
GS
= 10v, r
GS
= 47
Ω
- - 2700 ns
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 - 630 - ns
t
r
上升 时间 - 1200 - ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 8700 - ns
t
f
下降 时间 - 3500 - ns
t
止
转变-止 时间 - - 18500 ns
V
SD
源 至 流 二极管 电压
I
SD
= 3.3a - - 1.25 V
I
SD
= 1.7a - - 1.0 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
SD
= 3.3a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s--45ns
Q
RR
反转 recovered 承担 I
SD
= 3.3a, disd/dt = 100a/
µ
s- -60nc
V
fbk(低)
反馈 至 源 电压 V
DS
= 35v, r
fbk-源
=51K
Ω
-11.5v
V
fbk(高)
反馈 至 源 电压 V
DS
= 62v, r
fbk-源
=51K
Ω
3.5 4.4 - V
V
dis(高)
门 驱动 使不能运转 输入 电压, 门
使能
V
GS
= 5v, i
D
= 3.0a
,
T
J
=25
o
C3 - - V
V
dis(低)
门 驱动 使不能运转 输入 电压, 门
无能
V
GS
= v
DS
= 10v, i
D
≤
250
µ
一个,
T
J
=150
o
C
--0.4v
这个 产品 有 被 设计 至 满足 这 extreme 测试 情况 和 环境 demanded 用 这 automotive 工业. 为 一个
copy 的 这 (所需的)东西, 看 aec q101 在: http://www.aecouncil.com/
所有 仙童 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面 iso9000 和 qs9000 质量 系统
certification.