dmos 电的 特性
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出
标识
参数
测试 情况
最小值
典型值
最大值
单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
µ
一个
30 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
24
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v 1
µ
一个
I
GSSF
门-身体 泄漏 电流, 向前 V
GS
= 20 v, v
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门-身体 泄漏 电流, 反转 V
GS
=
–
20 v, v
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
1 1.6 3 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
–
4
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 9.3 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 9.3 一个
T
J
@ 125
°
C
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 8 一个
0.015
0.022
0.019
0.018
0.030
0.025
Ω
I
d(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= 10 v, v
DS
= 5 v 20 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 5 v, i
D
= 9.3 一个 26 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 1160 pf
C
oss
输出 电容 250 pf
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
100 pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 9 17 ns
t
r
转变-在 上升 时间 11 20 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 23 37 ns
t
f
转变-止 下降 时间
V
DD
= 15 v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, r
GEN
= 6
Ω
8 16 ns
Q
g
总的 门 承担 12 17 nC
Q
gs
门-源 承担 3.2 nc
Q
gd
门-流 承担
V
DS
= 15 v, i
D
= 9.3 一个,
V
GS
= 5 v
3.7 nC
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 2.1 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压 V
GS
= 0 v, i
S
= 2.1 一个
(便条 2)
0.75 1.2 v
: 点此下载
