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资料编号:323653
资料名称:
FDS8880
文件大小: 259.38K
说明
:
介绍
:
N-Channel PowerTrench MOSFET
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fds8880 n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
fds8880 rev. a1
www.fairchildsemi.com
6
图示 11. normalized 流 至 源
损坏 电压 vs 接合面 温度
图示 12. 电容 vs 流 至 源
电压
图示 13. 门 承担 波形 为 常量 门 电流
典型 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
I
D
= 250
µ
一个
损坏 电压
100
1000
0.1
1
10
2000
30
c, 电容 (pf)
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
=
C
GS
+ c
GD
C
OSS
≅
C
DS
+ c
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
Q
g
, 门 承担 (nc)
V
DD
= 15v
I
D
= 11.6a
I
D
= 1a
波形 在
descending 顺序:
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