3
www.fairchildsemi.com
fds6930b rev. 一个
fds6930b 双 n-频道 逻辑 水平的 powertrench
®
场效应晶体管
典型 特性
0
4
8
12
16
20
0 0.5 1 1.5 2
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= 10v
4.5v
3.5v
4.0v
3.0v
6.0v
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
048121620
I
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
= 3.5v
4.5v
5.0v
6.0v
10.0v
4.0v
图示 1. 在-区域 特性.
图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
I
D
= 5.5a
V
GS
= 10.0v
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
246810
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在-阻抗 (ohm)
I
D
= 2.75a
T
一个
= 125
°
C
T
一个
= 25
°
C
图示 3. 在-阻抗 变化 和
温度.
图示 4. 在-阻抗 变化 和
门-至-源 电压.
0
4
8
12
16
20
12345
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
= 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
V
DS
= 5v
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
V
SD
,
身体 二极管 向前 电压 (v)
I
S
, 反转 流 电流 (一个)
V
GS
= 0v
T
一个
= 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
图示 5. 转移 特性.
图示 6. 身体 二极管 向前 电压 变化
和 源 电流 和 温度.