首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:323776
 
资料名称:FDS6673AZ
 
文件大小: 130.67K
   
说明
 
介绍:
30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号FDS6673AZ的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号FDS6673AZ的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号FDS6673AZ的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号FDS6673AZ的Datasheet PDF文件第5页
5
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
www.fairchildsemi.com
fds6673az rev. c(w)
fds6673az 30 volt p-频道 powertrench
®
场效应晶体管
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
注释:
1. R
θ
JA
R
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s,职责 循环 < 2.0%
3. 这 二极管 连接 在 这 门 和 源 serves 仅有的 作 保护 相反 静电释放. 非 门 超(电)压 比率 是 暗指.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= –250
µ
一个 –30 V
BV
DSS
T
J
损坏 电压 温度
Coefficient
I
D
= –250
µ
一个, 关联 至 25
°
C –25 mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= –24 v, v
GS
= 0 v –1
µ
一个
I
GSS
gate–body 泄漏 V
GS
= ±20 v, v
DS
= 0 v ±10
µ
一个
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
µ
A–1–1.6 –3 V
V
gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 coefficient
I
D
= –250
µ
一个, 关联 至 25
°
C 5.8 mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= –10 v, i
D
= –14.5 一个
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –12 一个
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –14.5a, t
J
= 125
°
C
6.0
8.8
7.8
7.2
11
10.4
m
g
FS
Forward 跨导 V
DS
= –5 v, i
D
= –14.5 一个 50 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= –15 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
4480 pF
C
oss
输出 电容 1190 pF
C
rss
反转 转移 电容 615 pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15 mv, f = 1.0 mhz 3.8
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
Tur n–on 延迟 时间 V
DD
= –15 v, i
D
= –1 一个,
V
GS
= –10 v, r
GEN
= 6
22 35 ns
t
r
Tur n–on 上升 时间 816 ns
t
d(止)
Tur n–off 延迟 时间 134 214 ns
t
f
Tur n–off 下降 时间 79 126 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= –15 v, i
D
= –14.5 一个,
V
GS
= –10 v
84 118 nC
Q
gs
gate–source 承担 12 nC
Q
gd
gate–drain 承担 19 nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 drain–source 二极管 向前 电流 –2.1 一个
V
SD
drain–source 二极管 向前 电压 V
GS
= 0 v, i
S
= –2.1 一个 (便条 2) –0.7 –1.2 V
t
RR
反转 恢复 时间 I
F
= –14.5 一个,
d
如果
/d
t
= 100 一个/µs (便条 2)
44 ns
Q
RR
反转 恢复 承担 29 nC
一个) 50°c/w (10 秒) 62.5°
c/w 稳步的 状态 当
挂载 在 一个 1 在
2
垫子
的 2 oz 铜
b) 105°c/w 当
挂载 在 一个 .04 在
2
垫子 的 2 oz 铜
c) 125°/w 当 挂载
在 一个 最小 垫子.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com