FGA15N120AND_集成电路资料查询网

fga15n120and rev. 一个
FGA15N120AND
©2003 仙童 半导体 公司
5 10152025
0
100
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µ
s
di/dt = 200a/
µ
s
反转 恢复 时间 , t
rr
[ns]
向前 电流 , i
F
[A]
图 19. 反转 恢复 电流
图 18. 向前 特性
图 20. 贮存 承担
图 21. 反转 恢复 时间
0.1
1
10
50
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
T
C
= 125
℃
T
C
=  25
℃
T
J
= 25
o
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T
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= 125
o
C
向前 电压 , v
F
[V]
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F
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rr
[A]
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µ
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贮存 恢复 承担 , q
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[nC]
向前 电流 , i
F
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fga15n120and rev. 一个 FGA15N120AND ©2003 仙童半导体公司 5 10152025 0 100 200 300 400 di/dt = 100a/ µ s di/dt = 200a/ µ s 反转恢复时间 , t rr [ns] 向前电流 , i F [A] 图 19. 反转恢复电流图 18. 向前特性图 20. 贮存承担图 21. 反转恢复时间 0.1 1 10 50 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 T C = 125 ℃ T C = 25 ℃ T J = 25 o C T J = 125 o C 向前电压 , v F [V] 向前电流 , i F [A] 5 10152025 0 5 10 15 20 25 30 di/dt = 100a/ µ s di/dt = 200a/ µ s 反转恢复 currnet , i rr [A] 向前电流 , i F [A] 5 10152025 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 di/dt = 100a/ µ s di/dt = 200a/ µ s 贮存恢复承担 , q rr [nC] 向前电流 , i F [A]

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